Je laatste zin is correct. Als je de stroom-spannings karakteristiek zou tekenen, dan ziet deze er heel anders uit dan die van een weerstand. De stroom-spannings karakteristiek van een weerstand is gewoon een rechte lijn door de oorsprong. De stroom door een LED wordt gegeven door (bij benadering)
Id=Is * exp (Vd/Vt)
Waarbij Is en Vt als constant kunnen worden verondersteld. Dit is dus een exponentieel verband. De "weerstand" van een diode is dus afhankelijk van het instelpunt. Er is wel een maat voor de "weerstand" van een diode, maar die is bij een LED niet erg nuttig. Ik heb het nu over de zogenoemde klein-signaal weerstand. Als je hierover meer wilt weten dan moet je daar eerst zelf maar eens iets over opzoeken.
PS: In je eerste paar zinnen staan wat foutjes. Silicium wordt (nog) niet toegepast in LEDS. Silicium is een goede lichtgeleider (al zou je dat op het eerste gezicht niet zeggen), maar van silicium een LED maken is heel moeilijk, omdat silicium een indirecte bandkloof heeft. Voor fotonische componenten zoals LEDS is een directe bandgap zeer wenselijk. Elektronen gaan overigens niet van het P materiaal naar het N materiaal, maar andersom.
EDIT: Wat misschien wel interessant is: (voor mij wel in ieder geval...

) Om nieuwe microprocessoren sneller te maken, worden lange afstandsverbindingen bij de nieuwste ontwerpen optisch uitgevoerd. Dit kan bijvoorbeeld een aantal van de bondwires vervangen. (Dit zijn de draadjes die van het pootje van het IC naar de juiste positie op de daadwerkelijke chip lopen...) Deze optische verbindingen worden gemaakt door Een zeer kleine INP-LED (Indium-fosfide LED) en een INP-fotodiode te koppelen via een silicium staafje als lichtgeleider. Maar goed, dit heeft verder met je vraag niets meer te maken...
Je laatste zin is correct. Als je de stroom-spannings karakteristiek zou tekenen, dan ziet deze er heel anders uit dan die van een weerstand. De stroom-spannings karakteristiek van een weerstand is gewoon een rechte lijn door de oorsprong. De stroom door een LED wordt gegeven door (bij benadering)
Id=Is * exp (Vd/Vt)
Waarbij Is en Vt als constant kunnen worden verondersteld. Dit is dus een exponentieel verband. De "weerstand" van een diode is dus afhankelijk van het instelpunt. Er is wel een maat voor de "weerstand" van een diode, maar die is bij een LED niet erg nuttig. Ik heb het nu over de zogenoemde klein-signaal weerstand. Als je hierover meer wilt weten dan moet je daar eerst zelf maar eens iets over opzoeken.
PS: In je eerste paar zinnen staan wat foutjes. Silicium wordt (nog) niet toegepast in LEDS. Silicium is een goede lichtgeleider (al zou je dat op het eerste gezicht niet zeggen), maar van silicium een LED maken is heel moeilijk, omdat silicium een indirecte bandkloof heeft. Voor fotonische componenten zoals LEDS is een directe bandgap zeer wenselijk. Elektronen gaan overigens niet van het P materiaal naar het N materiaal, maar andersom.
EDIT: Wat misschien wel interessant is: (voor mij wel in ieder geval... :D ) Om nieuwe microprocessoren sneller te maken, worden lange afstandsverbindingen bij de nieuwste ontwerpen optisch uitgevoerd. Dit kan bijvoorbeeld een aantal van de bondwires vervangen. (Dit zijn de draadjes die van het pootje van het IC naar de juiste positie op de daadwerkelijke chip lopen...) Deze optische verbindingen worden gemaakt door Een zeer kleine INP-LED (Indium-fosfide LED) en een INP-fotodiode te koppelen via een silicium staafje als lichtgeleider. Maar goed, dit heeft verder met je vraag niets meer te maken...