door wnvl1 » do 09 okt 2025, 07:40
Een tunneldiode heeft een zeer dunne p–n-overgang en is aan beide kanten sterk gedopeerd. Daardoor wordt de barrière tussen de p- en n-zijde zo smal dat individuele elektronen kunnen tunnelen door de junctie in plaats van eroverheen te moeten springen.
Bij een Schottky-diode is er sprake van een metaal–halfgeleiderovergang. Aan deze overgang ontstaat een Schottky-barrière, die bepaalt hoe gemakkelijk elektronen van de halfgeleider naar het metaal kunnen bewegen. Wanneer deze barrière smal genoeg is, kunnen ook hier individuele elektronen door de barrière tunnelen.
Bij macroscopische tunneling daarentegen is het getunnelde object niet één enkel deeltje, maar een collectieve kwantumtoestand die zich gedraagt als één geheel op macroscopische schaal.
Een tunneldiode heeft een zeer dunne p–n-overgang en is aan beide kanten sterk gedopeerd. Daardoor wordt de barrière tussen de p- en n-zijde zo smal dat individuele elektronen kunnen tunnelen door de junctie in plaats van eroverheen te moeten springen.
Bij een Schottky-diode is er sprake van een metaal–halfgeleiderovergang. Aan deze overgang ontstaat een Schottky-barrière, die bepaalt hoe gemakkelijk elektronen van de halfgeleider naar het metaal kunnen bewegen. Wanneer deze barrière smal genoeg is, kunnen ook hier individuele elektronen door de barrière tunnelen.
Bij macroscopische tunneling daarentegen is het getunnelde object niet één enkel deeltje, maar een collectieve kwantumtoestand die zich gedraagt als één geheel op macroscopische schaal.